金属硅化物形成方法
授权
摘要
本公开提供了一种金属硅化物形成方法，属于半导体技术领域。该方法包括：在硅衬底表面沉积金属层；进行第一热处理，使所述金属层的金属原子扩散到所述硅衬底中，形成第一金属硅化物；进行第二热处理，使所述第一金属硅化物转变为第二金属硅化物；其中，所述第一热处理的温度低于所述第二热处理的温度。本公开可以降低金属硅化物形成过程中金属原子的过度扩散，并改善金属硅化物的厚度均匀性，提高半导体器件的性能与使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
金属硅化物形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110890275A
申请号 ：
CN201811043131.2
公开（公告）日 ：
2020-03-17
申请日 ：
2018-09-07
授权号 ：
CN110890275B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁礼君
优先权 ：
CN201811043131.2
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-04-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20180907
申请日 : 20180907
2020-03-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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