用于图像传感器的自对准金属硅化物处理方法
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摘要
本发明公开了一种在CMOS图像传感器上形成自对准金属硅化物的自对准金属硅化物工艺方法，该方法可与传统的CMOS图像传感器处理工艺相统一。其中，绝缘层沉积在图像传感器的像素阵列上方；采用光刻胶作掩模，除去部分的绝缘层，并沉积金属层；光刻胶掩模保护图像传感器的感光区域；对金属层进行退火处理，以形成金属硅化物。
基本信息
专利标题 ：
用于图像传感器的自对准金属硅化物处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832140A
申请号 ：
CN200610054902.9
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍华德·E·罗德斯
申请人 ：
豪威科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
广州三环专利代理有限公司
代理人 ：
戴建波
优先权 ：
CN200610054902.9
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/3205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2017-10-17 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/822
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2012-06-27 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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