具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管

专利权的终止

摘要

一种双极晶体管及制作晶体管的方法，其中晶体管包括基片(10)中的集电极(12)、位于集电极上的内基极(14)、与内基极相邻的外基极、位于内基极上的发射极(130)。从横切面看，外基极包括与内基极相邻的外基极注入区(82、172、192)。晶体管通过对基极上方的基片上发射极下部构图形成发射极基座(50)而形成。在不受发射极基座保护的区域内形成外基极。随后，形成发射极、相关联的分隔件(180)和硅化物区(220)。硅化物、外基极和发射极都彼此自对准。

基本信息

专利标题：

具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101057328A

申请号：

CN200580038284.2

公开（公告）日：

2007-10-17

申请日：

2005-11-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

玛瓦恩·H.·卡特弗朗索瓦·帕杰蒂

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

优先权：

CN200580038284.2

主分类号：

H01L27/082

IPC分类号：

H01L27/082 H01L21/331