用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了用于沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层的方法。在单衬底化学汽相沉积室中沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层。半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层可以用作半导体期间中的电极层。在一个方面，提供了两步沉积处理来形成具有减小的粗糙度的纳米晶粒尺寸多晶硅层。
基本信息
专利标题 ：
用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101467239A
申请号 ：
CN200680010818.5
公开（公告）日 ：
2009-06-24
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李明凯文·坎宁安石巴·帕纳意尔邢广财R·苏亚那拉亚南·耶尔
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵 飞
优先权 ：
CN200680010818.5
主分类号 ：
H01L21/44
IPC分类号 ：
H01L21/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/44
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2015-02-04 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101710588103
IPC(主分类) : H01L 21/44
专利申请号 : 2006800108185
申请公布日 : 20090624
号牌文件序号 : 101710588103
IPC(主分类) : H01L 21/44
专利申请号 : 2006800108185
申请公布日 : 20090624
2009-08-19 ：
实质审查的生效
2009-06-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
