供高温力学量传感器用的纳米多晶硅－氮化铝隔膜－硅单晶衬底...
专利权的终止
摘要
本发明的要点是在力学量传感器中，利用氮化铝作为力敏电阻和[001]晶向硅单晶弹性膜之间的绝缘隔离膜。氮化铝的热膨胀系数与硅的十分接近，因此不会引入大的热应力。力敏电阻可以直接制备在AlN膜上，不用通常硼扩散法制备在n型硅上。因无p－n结，大大改进了传感器的热漂移和电漂移，传感器可在高温下使用。本发明仍应用硅单晶做弹性膜材质。这比蓝宝石陶瓷材质弹性好，机械滞后小，热匹配好，制造工艺简单。利用反应溅射在[001]晶向单晶硅基片上制成氮化铝膜，用铝诱导技术可将溅射在氮化铝膜上的非晶硅转化成纳米多晶硅。多晶硅经光刻后便形成力敏电阻条。力学量传感器的其它制备工艺与普通硅力学量传感器相同。
基本信息
专利标题 ：
供高温力学量传感器用的纳米多晶硅－氮化铝隔膜－硅单晶衬底基片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005098A
申请号 ：
CN200610013089.0
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井叶之潘国峰孙以材
申请人 ：
井叶之
申请人地址 ：
300130天津市红桥区丁字沽,桃花园东里14楼4门304
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610013089.0
主分类号 ：
H01L29/84
IPC分类号 ：
H01L29/84 H01L29/12
法律状态
2012-03-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101212322745
IPC(主分类) : H01L 29/84
专利号 : ZL2006100130890
申请日 : 20060121
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20110121
号牌文件序号 : 101212322745
IPC(主分类) : H01L 29/84
专利号 : ZL2006100130890
申请日 : 20060121
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20110121
2010-05-12 ：
授权
2009-03-25 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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