氮化镓压力传感器
授权
摘要
本实用新型公开了氮化镓压力传感器，所述氮化镓压力传感器包括：第一衬底、第二衬底、外延结构、源极、漏极、栅极和凹槽，所述源极、所述漏极和所述栅极位于所述外延结构远离所述第二衬底的一侧，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极相对的两侧，所述栅极的数量为大于等于2的正整数，所述源极和所述漏极之间具有沟道区域。由此，本实用新型的氮化镓压力传感器具有两个以上的栅极，通过在栅极上施加电压调控沟道宽度，实现了沟道宽度的调控，可以对氮化镓压力传感器的检测范围、精度以及灵敏度等进行二次调整优化，扩大了工艺制备窗口，扩展了压力传感器的应用范围。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122445150.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-11
授权号 ：
CN216528897U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
刘泽文孙剑文
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尚伟净
优先权 ：
CN202122445150.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/778 H01L21/335 G01L1/16
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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