带压力传感器的氮化物制备系统
授权
摘要
本实用新型提供一种带压力传感器的氮化物制备系统，其包括热等静压设备(1)和若干反应容器(2)，所述反应容器(2)设置在所述热等静压设备(1)的内腔，所述反应容器(2)用于在一定的温度和压力下制备氮化物，所述系统还包括第一压力传感器(S1)和第二压力传感器(S2)，所述第一压力传感器(S1)用于测量所述热等静压设备(1)的内腔的第一压强(P1)，所述第二压力传感器(S2)用于测量所述反应容器(2)的内腔的第二压强(P2)。根据本实用新型的带压力传感器的氮化物制备系统，反应容器内外的压强能够被实时测量，有助于合理控制反应压强。
基本信息
专利标题 ：
带压力传感器的氮化物制备系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921111275.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-16
授权号 ：
CN210367995U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
乔焜高明哲林岳明
申请人 ：
上海玺唐半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201921111275.7
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/38 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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