双源双栅共漏功率器件

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种成本低、封装工艺简单、封装效率高、栅极电容小、开启速度快的双源双栅共漏功率器件。本实用新型包括硅衬底(1)、两个器件单元，每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述漏极金属II(2’)通过所述通孔II与所述漏极金属I(2)相连接并形成焊盘I，两个所述器件单元的所述焊盘I连接为一体，每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述源极金属II(3’)通过所述通孔II与所述源极金属I(3)相连接并形成一个焊盘II，每个所述器件单元的所述栅极金属II(4’)通过所述通孔II与所述栅极金属I(4)相连接并形成一个焊盘III。本实用新型可广泛应用于集成电路领域。

基本信息

专利标题：

双源双栅共漏功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620061023.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-06-30

授权号：

CN2924793Y

授权日：

2007-07-18

发明人：

吴纬国

申请人：

广州南科集成电子有限公司

申请人地址：

510663广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路

代理机构：

广州市红荔专利代理有限公司

代理人：

李彦孚

优先权：

CN200620061023.4

主分类号：

H01L27/04

IPC分类号：

H01L27/04 H01L23/522 H01L29/78 H01L29/40