功率MOS器件的栅保护器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
功率MOS器件的栅保护管,属半导体器件技术领域,其特征是在终端之内,在硅单晶衬底上制作保护管,并用铝条把保护管的一个极与功率MOS器件的栅极相连。
基本信息
专利标题 :
功率MOS器件的栅保护器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN90216873.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1990-07-30
授权号 :
CN2073169U
授权日 :
1991-03-13
发明人 :
李思敏
申请人 :
北京市半导体器件研究所
申请人地址 :
102206北京市昌平县沙河镇
代理机构 :
北京电子工业专利事务所
代理人 :
梁剑锐
优先权 :
CN90216873.8
主分类号 :
H01L29/784
IPC分类号 :
H01L29/784 H01L23/58
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法律状态
1994-06-15 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-11-06 :
授权
1991-03-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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