功率MOS器件的栅保护器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
功率MOS器件的栅保护管，属半导体器件技术领域，其特征是在终端之内，在硅单晶衬底上制作保护管，并用铝条把保护管的一个极与功率MOS器件的栅极相连。
基本信息
专利标题 ：
功率MOS器件的栅保护器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90216873.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-07-30
授权号 ：
CN2073169U
授权日 ：
1991-03-13
发明人 ：
李思敏
申请人 ：
北京市半导体器件研究所
申请人地址 ：
102206北京市昌平县沙河镇
代理机构 ：
北京电子工业专利事务所
代理人 ：
梁剑锐
优先权 ：
CN90216873.8
主分类号 ：
H01L29/784
IPC分类号 ：
H01L29/784 H01L23/58
相关图片
法律状态
1994-06-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-11-06 ：
授权
1991-03-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN2073169U.PDF
PDF下载
