铝栅MOS/双极复合功率管
专利权的终止
摘要
本发明属于集成功率器件。由MOS管作为输入级，双极型管作为输出级在同一芯片上以达林顿形式组成。该管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。采用以铝栅工艺为主体的MOS/双极兼容工艺，MOS管的漏区与一只双极型管的基区为同一扩散区(2)，衬底材料采用三重扩散片(9)，(10)。使用同一套光刻版，只要改变衬底掺杂和各次扩散掺杂的性质，可以分别做成PMOS/nPn复合功率管或nMOS/pnp复合功率管。本发明可做为高输入阻抗的低频大功率器件使用。
基本信息
专利标题 ：
铝栅MOS/双极复合功率管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85200134.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85200134U
授权日 ：
1985-10-10
发明人 ：
蔡世俊茅盘松詹娟
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
姚建楠
优先权 ：
CN85200134.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
1990-08-01 ：
专利权的终止
1986-03-19 ：
授权
1985-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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