双栅MOS器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型公开了一种双栅MOS器件，它有两个不同厚度的氧化物栅区，并有各自分开的金属层栅极，源极和漏极均保持单一。这种器件的厚栅栅压—沟道电导线性特性可由薄栅栅压进行调节，它能满足在宽广数值范围内进行电压—电导线性变换的应用需求。
基本信息
专利标题 ：
双栅MOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88220839.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-12-15
授权号 ：
CN2038669U
授权日 ：
1989-05-31
发明人 ：
林雨陆文兰王志英
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN88220839.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
1993-04-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-02-21 ：
授权
1989-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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