一种低压铝栅器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型适用于半导体制造工艺技术领域，提供了一种低压铝栅器件，其中，包括：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。本实用新型实施例能够缩小芯片面积、降低成本。
基本信息
专利标题 ：
一种低压铝栅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922322809.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN211455688U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
何伟业李炜
申请人 ：
深圳市芯域联合半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B
代理机构 ：
深圳驿航知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨伦
优先权 ：
CN201922322809.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L23/48
法律状态
2021-07-02 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20210622
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市芯域联合半导体科技有限公司
变更后权利人 : 芯南科技（深圳）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
登记生效日 : 20210622
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市芯域联合半导体科技有限公司
变更后权利人 : 芯南科技（深圳）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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