一种沟槽栅IGBT器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件，在P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区之间引入欧姆接触介质层，通过欧姆接触介质层将P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区进行隔离，隔离后可以有效的防止P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区沿着沟槽方向的扩散，从而可以消除P+型欧姆接触区与N+型欧姆接触区之间距离不能太小的限制，降低阈值电压变化的风险，提升器件的导通电流和RBSOA能力。同时，由于欧姆接触介质层的存在，设计上不需要考虑器件的P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区扩散对IGBT沟道宽度的影响，降低了设计难度和风险，能够解决现有技术中P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区的间距对IGBT器件性能影响折中关系，提高IGBT器件的性能，降低IGBT的设计中的风险。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽栅IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420752A
申请号 ：
CN202111630323.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许生根李哲锋訾彤彤
申请人 ：
江苏中科君芯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202111630323.5
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/45 H01L29/06
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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