与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶...
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摘要
本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑制后续氧化刻蚀工艺对于栅多晶纵向尺寸的影响，提高了栅多晶薄膜的电性能稳定性和工艺一致性，有效改善与高精密线性双多晶电容模块兼容性，有效提高了双多晶电容电压系数和近零偏压电容电压对称性。通过抑制掺杂离子特别是硼离子进入栅多晶薄膜，有效改善PMOS器件栅多晶表面平整性和产品长期可靠性。通过替代有机抗反射涂层，提高工艺兼容性并降低产品的制造成本，有效提升产品成品率和市场竞争力。
基本信息
专利标题 ：
与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111799224A
申请号 ：
CN202010635339.4
公开（公告）日 ：
2020-10-20
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN111799224B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
殷万军钟怡刘玉奎朱坤峰桂林梁康弟裴颖李光波谭开州刘青钱呈
申请人 ：
重庆中科渝芯电子有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西园二路98号
代理机构 ：
重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王翔
优先权 ：
CN202010635339.4
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-11-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20200703
申请日 : 20200703
2020-10-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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