提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置,包括进气调节阀、氮气进气缓冲罐、切断阀、流化床反应器;所述进气调节阀通过管路与氮气进气缓冲罐连接,所述氮气进气缓冲罐的排气口一路经切断阀与流化床反应器连通,所述流化床反应器的排气口与废气处理单元连通。本实用新型能够能安全快速的将事故排除,大大增加流化床反应器的安全系数,减少了系统因异常情况下压力下降,造成的损失,保证了硅粉及浆料能连续稳定的输送,保证了整个系统平稳的运行。
基本信息
专利标题 :
提高多晶硅生产中冷氢化工艺安全性的高压氮气保护装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921243278.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-02
授权号 :
CN210795785U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
贾坤唐伟博牛娜
申请人 :
陕西天宏硅材料有限责任公司
申请人地址 :
陕西省西安市西咸新区秦汉新城兰池大道东段
代理机构 :
西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
侯峰
优先权 :
CN201921243278.6
主分类号 :
C01B33/03
IPC分类号 :
C01B33/03 C01B33/107
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/03
使用卤化硅或卤化硅烷的分解,或其以氢作为惟一的还原剂的还原
法律状态
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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