一种高压硅堆的单只生产工艺及批量生产工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高压硅堆的单只生产工艺及批量生产工艺，其包括如下步骤：1.刷焊料；2.组装芯片；3.点焊料；4.组装跳线；5.装引脚；6.烧结；7.清洗；8.塑封；9.引脚电镀；10.切筋；11.测试印字；12.包装。本发明能够以成本更低、工序更简单的工艺实现性能可靠、合格率更高的高压硅堆的制备，同时更便于生产工艺的自动化，更有利于提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高压硅堆的单只生产工艺及批量生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551250A
申请号 ：
CN202210161395.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓华鲜
申请人 ：
乐山希尔电子股份有限公司
申请人地址 ：
四川省乐山市高新区南新东路3号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓小兵
优先权 ：
CN202210161395.8
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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