四氯化硅氢化新工艺
被视为撤回的申请
摘要
SiCl4氢化新工艺，是将粉末状镍触媒与硅粉按一定比例混合，装入反应器中，在氢气氛中和430℃温度下对其进行4小时活化处理后，即可通入SiCl4与H2的混合气体，进行氢化反应，反应温度为400～500℃，压力10～20kg/cm2。在触媒的寿命有效期内，不必添加，氢化反应可连续进行。这种新工艺，操作简单、SiCl4一次转化率高、能耗较低。
基本信息
专利标题 ：
四氯化硅氢化新工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85107465A
申请号 ：
CN85107465
公开（公告）日 ：
1987-04-15
申请日 ：
1985-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈祖祥王景华
申请人 ：
北京有色冶金设计研究总院;天津大沽化工厂
申请人地址 ：
北京市复兴路12号
代理机构 ：
北京市第十专利代理事务所
代理人 ：
张道智
优先权 ：
CN85107465
主分类号 ：
C01B33/08
IPC分类号 ：
C01B33/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/08
含卤素的化合物
法律状态
1989-02-15 ：
被视为撤回的申请
1987-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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