一种兼容CMOS工艺的LDMOS器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种兼容CMOS工艺的LDMOS器件，采用阶梯型的浅沟槽隔离结构，使栅极与漏区之间的表面区域填充物质为氧化物，避免增加淀积金属硅化物阻挡层这一步骤，减少了工艺步骤和工艺难度，提高了器件性能，缩短电流流通路径来减小导通电阻，同时保持较高的击穿电压。此外，通过增加深掺杂层和两个离子通道层结构共同包围LDMOS器件并接出电极，使得在相同结深的阱区保证LDMOS在高温下也能稳定工作并且还能通过接出电极进行外部电位调节，使得器件也会具有高击穿电压，且能够兼容CMOS工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种兼容CMOS工艺的LDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114220849A
申请号 ：
CN202210164410.4
公开（公告）日 ：
2022-03-22
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
CN114220849B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
程晨王彬徐凯吴李瑞
申请人 ：
江苏游隼微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN202210164410.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-05-27 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20220513
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 江苏游隼微电子有限公司
变更后权利人 : 江苏稻源科技集团有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 211135 江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41
变更后权利人 : 225000 江苏省扬州市文昌东路88号
登记生效日 : 20220513
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 江苏游隼微电子有限公司
变更后权利人 : 江苏稻源科技集团有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 211135 江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41
变更后权利人 : 225000 江苏省扬州市文昌东路88号
2022-05-03 ：
授权
2022-04-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-03-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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