一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件
授权
摘要
本实用新型涉及VDMOS器件技术领域，尤其涉及一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件及其制造工艺，该器件包括：包括N+型衬底、N‑型外延层、P型体区、栅极氧化层、多晶硅栅极、多晶硅栅注入窗口、低电阻区、N+有源区、P+有源区、介质层和源极金属。本新型所述的中低压平面栅VDMOS器件采用平面栅结构，在平面栅的多晶硅局部挖空作为注入窗口，能够在积累区和JFET区形成额外的低电阻区，并且在形成低电阻区域的同时仍保留JFET区域，从而使得器件不仅具备低导通电阻，而且耐压和抗冲击能力维持不变；同时由于平面栅的多晶硅面积减少，降低了寄生Cgd米勒电容的面积，又能达到降低器件开关损耗，提高开关频率的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922471072.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211529958U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
许剑钟传杰刘桂芝
申请人 ：
无锡麟力科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞云三座
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱晓林
优先权 ：
CN201922471072.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
