超低导通电阻分离栅MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型涉及超低导通电阻分离栅MOSFET器件，在N外延层内设有包围沟槽的Al4Si合金晶粒层，在沟槽的下段槽体内设有场氧层，在场氧层内设有屏蔽栅导电多晶硅，在沟槽的上段槽体内设有栅极导电多晶硅与栅氧层，栅极导电多晶硅位于栅氧层内；在介质层、N+源区与P阱区上开设有接触孔，接触孔从介质层的上表面向下穿透介质层、N+源区并最后进入P阱区内，在接触孔内设有接触条，接触条的上端部与发射极金属相连，接触条与N+源区以及P阱区欧姆接触，且接触条的宽度自上而下逐渐缩小。本实用新型结构简单，本实用新型提供的器件在正向导通时可以大大降低导通电阻；本实用新型的制造方法步骤较少且简单易行。
基本信息
专利标题 ：
超低导通电阻分离栅MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020289948.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN211295111U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
刘锋殷允超刘秀梅
申请人 ：
江苏捷捷微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202020289948.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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