一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件，属于功率半导体技术领域。本发明采用在P型阱区纵向上多次开孔集成肖特基接触的方式，没有增加器件元胞的横向面积，保证了器件的正向导通能力与传统结构基本一致，同时利用肖特基接触为反向恢复提供电流通路，来降低体二极管的反向恢复电荷，加快反向恢复过程。本发明的优化导通电阻的集成肖特基VDMOS结构具有更好的开关特性和反向恢复能力，同时器件静态特性与传统结构基本一致。
基本信息
专利标题 ：
一种优化导通电阻的集成肖特基VDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284345A
申请号 ：
CN202111594706.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张有润贺鹏陈航欧阳钢陈劭桦张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202111594706.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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