本实用新型涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种更均匀导通的电容耦合静电放电防护器件。本实用新型的一种更均匀导通的电容耦合静电放电防护器件多支多晶硅手指，通过接触孔与该多支多晶硅手指的公共端相连接的第一金属层，位于该第一金属层之上的多组金属层组，将该第一金属层及该多组金属层组相邻两层金属层电连接的通孔在基本上垂直于多支多晶硅手指的方向上交错地布置。通过交错式的通孔连接方式，可以增加栅极的寄生电阻，不但可以使得大尺寸GCMOS更均匀的导通，提高其ESD防护能力，而且不会额外的增加版图布局面积。