静电放电装置
授权
摘要
本发明提供一种静电放电(ESD)装置，其在IC正常运作期间充当一个二极管且在一静电放电事件期间充当一个SCR。为形成一等效SCR结构，所述ESD装置包括形成于一N阱的内部的多个N+区域和多个P+区域。所述多个P+区域和所述多个N+区域在一序列中彼此相邻而形成，且位于所述序列的两端处的所述区域是所述N+区域。另外，所述ESD装置与一衬垫集成且形成于所述衬垫下方。此外，由于所述衬垫具有一较大表面积且为板状，且因此是一优良电导体，使得所述ESD装置中的电流能够均匀地分布。
基本信息
专利标题 ：
静电放电装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835236A
申请号 ：
CN200610058367.4
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄志丰简铎欣林振宇杨大勇
申请人 ：
崇贸科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610058367.4
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2008-12-10 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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