一种沟槽栅IGBT器件
授权
摘要
本实用新型公开一种沟槽栅IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构包括假栅结构和栅极结构，其中假栅结构位于漂移区的上方侧面，栅极结构位于漂移区的上方中部；所述假栅结构包括窄部和宽部，且宽部位于窄部的下方；所述栅极结构与窄部之间的漂移区上方设有载流子存储层，载流子存储层的上方设有P型基区；所述P型基区的上方设有P+发射区与N+发射区，P+发射区、N+发射区分别与发射极金属层电连接。本实用新型有效地降低米勒电容，提高IGBT开关速度，降低IGBT开关损耗以及降低器件导通压降，同时兼顾改善IGBT的多种性能。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽栅IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021934492.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-07
授权号 ：
CN212342635U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
郭乔林泳浩李伟聪
申请人 ：
珠海市浩辰半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-69243(集中办公区)
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
彭西洋
优先权 ：
CN202021934492.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/739
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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