一种低压铝栅双层芯片结构
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种低压铝栅双层芯片结构,本实用新型涉及芯片技术领域,一号芯片设置在二号芯片的上方,且两者均设置于外壳的内部,一号芯片的底表面设有锡圈,二号芯片的上表面开设有与锡圈相互嵌合设置的圈槽,一号芯片的两侧边连接有数个一号端子,一号端子上下活动插设在开设于外壳侧壁的让位孔中,一号端子外侧的让位孔中嵌设有导热硅胶片,二号芯片的两侧边连接有数个二号端子,二号端子穿过外壳的侧壁后露设于外壳的外部。其能够满足多元器件的焊接需求,且具有较好的散热性能,大大提高元器件的安装数量,延长元器件的使用寿命。
基本信息
专利标题 :
一种低压铝栅双层芯片结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921701331.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-12
授权号 :
CN210403721U
授权日 :
2020-04-24
发明人 :
刘军
申请人 :
深圳市芯域联合半导体科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921701331.2
主分类号 :
H01L25/065
IPC分类号 :
H01L25/065 H01L23/04 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2022-05-27 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 25/065
登记生效日 : 20220516
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 芯南科技(深圳)有限公司
变更后权利人 : 苏州景芯隆微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
变更后权利人 : 215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼205-6
登记生效日 : 20220516
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 芯南科技(深圳)有限公司
变更后权利人 : 苏州景芯隆微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
变更后权利人 : 215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼205-6
2021-07-09 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 25/065
登记生效日 : 20210625
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市芯域联合半导体科技有限公司
变更后权利人 : 芯南科技(深圳)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
登记生效日 : 20210625
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市芯域联合半导体科技有限公司
变更后权利人 : 芯南科技(深圳)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B
变更后权利人 : 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
2021-07-09 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 25/065
变更事项 : 发明人
变更前 : 刘军
变更后 : 胡建权
变更事项 : 发明人
变更前 : 刘军
变更后 : 胡建权
2020-04-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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