一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备
授权
摘要
本实用新型公开一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备，用于IGBT芯片原料晶圆基片的限位放置与刻蚀，包括刻蚀设备本体，设置在刻蚀设备本体下方的反应器，反应器内具有反应腔体，反应腔体内设置有内衬、晶圆固定座；内衬卡合在反应腔体内部的侧壁内；反应腔体的底部设有漏斗状的清洁通道，清洁通道与涡轮泵连接；内衬包括一筒体和与筒体一体成型的内衬底盘；晶圆固定座包括固定座本体，固定座本体的底部设有长条状安装板，长条状安装板与放置板适配。本实用新型的加工设备可同时放置多个晶圆基片，使用等离子体对晶圆基片进行刻蚀，刻蚀形成具有平面栅、沟槽栅的复合栅结构的IGBT芯片，大大提高了刻蚀加工效率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有复合栅结构的IGBT芯片的加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921534574.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN210956591U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
王全杨其峰邹有彪倪侠徐玉豹沈春福王超
申请人 ：
富芯微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区香蒲路503号
代理机构 ：
合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩立峰
优先权 ：
CN201921534574.1
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67 H01L21/8224 H01L27/082 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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