具有渐变结深的芯片终端结构
授权
摘要
本实用新型公开具有渐变结深的芯片终端结构。芯片终端结构围绕器件区设置。器件区设置有半导体器件。芯片终端结构包括JTE区和多个环区，JTE区和多个环区设置在半导体层。半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，JTE区和多个环区具有第二导电类型并且从第一面朝向第二面的方向延伸。沿器件区朝向芯片终端结构的方向，多个环区中每个环区的结深逐渐减小。根据本实用新型的芯片终端结构具有更低的电场峰值和更均匀的电场分布，能提高半导体器件的反向击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
具有渐变结深的芯片终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921417629.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-28
授权号 ：
CN211295103U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
陈伟钿张永杰周永昌李浩南
申请人 ：
飞锃半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 ：
王媛
优先权 ：
CN201921417629.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06
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法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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