双结深光电二极管
授权
摘要
本实用新型涉及双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。本实用新型的双结深光电二极管，浅结和深结的结深分别为4μm和1.5μm，光谱峰值14000Å和4650Å，光谱响应灵敏度高。
基本信息
专利标题 ：
双结深光电二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922458935.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211507661U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
崔峰敏
申请人 ：
傲迪特半导体（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区润华路3号
代理机构 ：
江苏致邦律师事务所
代理人 ：
徐蓓
优先权 ：
CN201922458935.5
主分类号 ：
H01L31/11
IPC分类号 ：
H01L31/11 H01L31/0352
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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