激光二极管
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种II-VI化合物半导体激光二极管，包括：构成一个pn结的多个宽带隙II-VI半导体层，包括至少第一和第二II-VI光导层、隔着所述第二光导层与所述第一光导层相对的第一II-VI覆盖层和隔着所述第一光导层与所述第二光导层相对的第二II-VI覆盖层，上述层中的至少一个层用氮掺杂为p型；所述pn结内的量子阱有源层，具有提供430和570nm之间的波长的光发射的成份，所述量子阱的能带隙至少比所述光导层的少0.2eV；支撑上述的多个II-VI半导体层的一个半导体衬底；以及与上述的多个II-VI半导体层相对的两侧欧姆接触的第一、第二电极，用于将电能耦合至上述的激光二级管。
基本信息
专利标题 ：
激光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1474485A
申请号 ：
CN02147937.2
公开（公告）日 ：
2004-02-11
申请日 ：
1992-05-15
授权号 ：
CN1321488C
授权日 ：
2007-06-13
发明人 ：
迈克尔·A·海斯郑骅詹姆斯·M·迪鲁特邱钧
申请人 ：
明尼苏达州采矿制造公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
朱海波
优先权 ：
CN02147937.2
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00
法律状态
2009-07-15 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-06-13 ：
授权
2004-04-21 ：
实质审查的生效
2004-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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