激光二极管
实质审查的生效
摘要
激光二极管(1)具备：AlN单晶的基板(11)；形成在基板上且包含具有n型导电性的氮化物半导体层的n型包层(12)；形成在n型包层上且包含一个以上量子阱的发光层(14)；形成在发光层上且包含具有p型导电性的氮化物半导体层的p型包层(20)；以及，形成在p型包层上且包含含有GaN的氮化物半导体的p型接触层(18)，p型包层具备p型纵传导层(16)和p型横传导层(17)，所述p型纵传导层(16)包含AlsGa1‑sN(0.3≤s≤1)，具有随着远离基板而Al组成s变小的组成倾斜，且所述p型纵传导层的膜厚小于0.5μm，所述p型横传导层(17)包含AltGa1‑tN(0
基本信息
专利标题 ：
激光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342194A
申请号 ：
CN202080059053.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张梓懿久志本真希天野浩
申请人 ：
旭化成株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080059053.4
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/343
申请日 : 20200925
申请日 : 20200925
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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