二极管结构和二极管
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摘要
本文描述了二极管结构和二极管。一种二极管结构包括：衬底，具有沟槽；第一传导区域，位于所述沟槽中并且与所述衬底分离第一距离，所述第一距离短于约10nm；以及第二传导区域，位于所述沟槽中并且比所述第一传导区域更深地延伸。
基本信息
专利标题 ：
二极管结构和二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921627456.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN210743950U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
F·拉努瓦
申请人 ：
意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
法国图尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
崔卿虎
优先权 ：
CN201921627456.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L27/06 H01L21/329 H01L21/8248
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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