发光二极管结构
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种发光二极管结构,其主要是在一基板顶端面装设有一个或一个以上的发光二极管,并于基板上固设一由玻璃或石英所制成的光罩以包围发光二极管,且光罩顶端形成有荧光粉层以改变光的颜色,而光罩侧壁形成有反射层,以将发光二极管发出的光线往光罩的顶端面集中而增加亮度,再将光罩的侧壁经过氢氟酸浸渍蚀刻的雾化处理,使得光罩的侧壁表面呈现不规则的凹凸状以增进反射层的反射力,令发光二极管的发光效率与亮度可以增加。

基本信息
专利标题 :
发光二极管结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720142839.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-04-26
授权号 :
CN201060875Y
授权日 :
2008-05-14
发明人 :
蔡桦欣
申请人 :
蔡桦欣
申请人地址 :
台湾省云林县
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
何春兰
优先权 :
CN200720142839.4
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  H01L25/00  F21V3/04  
法律状态
2014-06-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101583001885
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201428394
申请日 : 20070426
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20130426
2008-05-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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