发光二极管结构
授权
摘要
本发明涉及一种发光二极管结构，包括衬底、第一类型半导体层、第二类型半导体层及多量子井发光层；第一类型半导体层设置在衬底上，第一类型半导体层远离衬底的表面具有一图案化结构层；多量子井发光层位于团化结构层与第二类型半导体层之间并覆盖在图案化结构层上；多量子井发光层具有多个第一厚度区域、第二厚度区域及过渡区域；以第一类型半导体层朝向第二类型半导体层的竖直方向为准，第一厚度区域的厚度大于第二厚度区域的厚度；过渡区域的厚度自第一厚度区域朝向第二厚度区域的方向逐渐变小。上述发光二极管结构，通过图案化结构层结合多量子井发光层的不同区域的厚度变化，提高了发光亮度，同时提高了内部萃取效益。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113228309A
申请号 ：
CN201980004373.7
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN113228309B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
陈靖中
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN201980004373.7
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-09-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20191126
申请日 : 20191126
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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