发光二极管结构及发光装置
公开
摘要
本发明提供一种发光二极管结构及发光装置，包括发光二极管、保护二极管、绝缘层、两个焊盘和导电结构，保护二极管是反向并联于发光二极管，每个二极管包括外延结构和电极，外延结构包括依次层叠的N半导体层、发光层和P半导体层，电极都位于外延结构上，绝缘层覆盖各二极管的外延结构，第一焊盘位于绝缘层上并电连接第一电极与第四电极，第二焊盘位于绝缘层上并电连接第二电极，导电结构连接于第二焊盘并电连接保护二极管的N半导体层，导电结构与第一电极的材料不同。借此，可大幅提升发光二极管结构的抗ESD能力，特别是提升负向的抗ESD能力。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管结构及发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631197A
申请号 ：
CN202180005926.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨人龙左锋张丽明林维鹏张中英
申请人 ：
厦门三安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨泽奇
优先权 ：
CN202180005926.8
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/62 H01L23/60
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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