发光二极管及发光装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体光电器件技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。为解决现有发光二极管的金属层在绝缘层上的附着力不足，所述发光二极管包括：半导体外延叠层，其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；界面过渡层，位于所述半导体外延叠层之上；所述界面过渡层包括绝缘金属氧化物、或者绝缘金属氧化物的叠层；所述界面过渡层与所述半导体外延叠层之间设有第一绝缘层；金属层，覆盖部分所述界面过渡层表面，并与所述半导体外延叠层电性连接。本发明提供的发光二极管具有高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497314A
申请号 ：
CN202210401670.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢昆达林芳芳韩涛杨欣欣温兆军张中英
申请人 ：
泉州三安半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市石井镇院前村
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨泽奇
优先权 ：
CN202210401670.9
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20220418
申请日 : 20220418
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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