紫外发光二极管及发光装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。
基本信息
专利标题 ：
紫外发光二极管及发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114391185A
申请号 ：
CN202180005045.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江宾龙思怡臧雅姝彭康伟曾炜竣陈思河曾明俊
申请人 ：
厦门市三安光电科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202180005045.6
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/46 H01L33/38
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/40
申请日 : 20211203
申请日 : 20211203
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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