发光二极管及发光装置

授权

摘要

本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、透明电流扩展层、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明电流扩展层位于第二半导体层上，第一电极和第二电极分别电连接第一半导体层和透明电流扩展层，其中，透明电流扩展层包括依次层叠的第二透明电流扩展层和第一透明电流扩展层，第一透明电流扩展层中掺杂Al金属。借此设置，可有效提升发光二极管的静电防护能力，使得发光二极管具有高抗ESD能力。

基本信息

专利标题：

发光二极管及发光装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114093991A

申请号：

CN202210063980.4

公开（公告）日：

2022-02-25

申请日：

2022-01-20

授权号：

CN114093991B

授权日：

2022-05-17

发明人：

王绘凝夏宏伟马全扬刘士伟卓佳利杨硕林素慧张中英

申请人：

泉州三安半导体科技有限公司

申请人地址：

福建省泉州市南安市石井镇院前村

代理机构：

厦门加减专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

包爱萍

优先权：

CN202210063980.4

主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/14 H01L23/60