本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括n个周期的量子阱结构，每个周期的量子阱结构包括依次沉积的阱层和势垒层，所述势垒层的带隙大于阱层的带隙；其特征在于：所述势垒层的带隙自半导体外延叠层的第一表面至第二表面方向是逐渐增大的。本发明可减小量子阱结构中势垒层的吸光，改变量子阱结构中势垒层材料的折射系数，优化出光角度，提升发光二极管的发光效率，提升发光二极管的发光亮度。