紫外发光二极管及发光装置
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种紫外发光二极管,其包括衬底、外延结构、第一接触电极和第二接触电极,外延结构位于衬底的上表面,并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层,第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸,第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁,第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁,第二接触电极位于外延结构上,并电连接第二半导体层,其中,第一半导体层中掺杂有Al,从紫外发光二极管的上方朝向外延结构俯视,第一凹槽的面积占外延结构的面积的20%‑70%,第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置,既可以提升紫外发光二极管的出光效率,还可降低整体操作电压。

基本信息
专利标题 :
紫外发光二极管及发光装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114267763A
申请号 :
CN202111481531.3
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
曾炜竣张中英臧雅姝江宾陈思河龙思怡
申请人 :
厦门市三安光电科技有限公司
申请人地址 :
福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
代理机构 :
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
包爱萍
优先权 :
CN202111481531.3
主分类号 :
H01L33/38
IPC分类号 :
H01L33/38  H01L33/46  
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20211206
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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