发光二极管及发光装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构具有相对的第一表面和第二表面，外延结构自第一表面至第二表面依次包括N型GaP电流扩展层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和欧姆接触层，第一电极和第二电极分别电连接N型GaP电流扩展层和欧姆接触层，其中，欧姆接触层的材料包括AlxGa(1‑x)As，0＜x≤0.6。借此设置，可改善欧姆接触层的吸红光问题，提升出光效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284407A
申请号 ：
CN202111582726.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高迪熊伟平李维环吴志伟张励国丁雯雯
申请人 ：
天津三安光电有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
包爱萍
优先权 ：
CN202111582726.7
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/44 H01L33/02
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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