开基极半导体二极管器件具有发射极层、基极层和集电极层。其中所述层被配置并掺杂为使得所述器件具有以下IV特性：i.具有正电阻的穿通区，其从电压V_pt开始，继之以，和ii.具有正电阻阶段的雪崩区，所述正电阻阶段始于在V_crit和I_crit处的电导调制，并具有电阻R_crit，iii.其中V_crit、I_crit和R_crit的值是根据所述层的配置和掺杂来设置的。所述器件可以具有双基极结构，并且掺杂度较低的基极区的宽度可以被最小化，以使得在由雪崩引起的电导调制出现处的电流密度J_crit增加。在一个例子中，所述器件包括N－N+或P－P+双发射极。N－层或P－层的厚度可以被最小化，使得载流能力被最大化，并且该层的掺杂不影响所述器件的载流能力。