光电二极管结构
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
本实用新型提供了一种光电二极管结构，包括基底、氧化层位于基底表面上、数个绝缘层位于基底中，掺杂区位于基底中且被绝缘层围绕、栅极、多晶硅区段位于氧化层上方、开口位于多晶硅区段和氧化层中且深至掺杂区表面、图案化多晶硅层位于开口中和部分多晶硅区段上方，以及源极/漏极位于栅极的一侧。其中，栅极位于掺杂区的一侧，而多晶硅区段位于掺杂区的另一侧。
基本信息
专利标题 ：
光电二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620114804.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-04-29
授权号 ：
CN2906930Y
授权日 ：
2007-05-30
发明人 ：
施俊吉王铭义陈俊伯
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200620114804.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2009-04-01 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 20090304
2007-05-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
