二极管
授权
摘要
本申请是关于一种二极管。二极管包括：氮化物沟道层；氮化物势垒层，所述氮化物势垒层形成于所述氮化物沟道层上；氧化形成层，所述氧化形成层部分位于所述氮化物势垒层内、且所述氧化形成层远离所述氮化物沟道层的表面与所述氮化物势垒层远离所述氮化物沟道层的表面平齐；钝化层，所述钝化层形成于所述氮化物势垒层上，所述钝化层包括第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述钝化层并暴露所述氧化形成层及部分的所述氮化物势垒层；第一电极，所述第一电极形成于所述第一凹槽内并与所述氮化物势垒层以及所述氧化形成层接触。
基本信息
专利标题 ：
二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020055063.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-10
授权号 ：
CN211182216U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
程凯
申请人 ：
苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王婵
优先权 ：
CN202020055063.8
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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