二极管
授权
摘要
本申请实施例提供了一种二极管，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底的第一表面上的第一导电类型阱区；位于所述衬底的第二表面上的第二导电类型阱区；位于所述第一导电类型阱区上的第一电极层；位于所述第二导电类型阱区上的第二电极层；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。根据本申请实施例提供的二极管，能够降低二极管的生产成本。
基本信息
专利标题 ：
二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022006235.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN213124448U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
尹江龙章剑锋向军利
申请人 ：
瑞能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵秀芹
优先权 ：
CN202022006235.5
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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