电场调节的Ge基双异质结深紫外-近红外双波段光电探测器及...
授权
摘要
本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。
基本信息
专利标题 ：
电场调节的Ge基双异质结深紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113257945A
申请号 ：
CN202110732481.5
公开（公告）日 ：
2021-08-13
申请日 ：
2021-06-30
授权号 ：
CN113257945B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
谢超梁毅杨文华黄志祥
申请人 ：
安徽大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市经开区九龙路111号
代理机构 ：
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
代理人 ：
卢敏
优先权 ：
CN202110732481.5
主分类号 ：
H01L31/11
IPC分类号 ：
H01L31/11 H01L31/18 H01L31/0264
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-08-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/11
申请日 : 20210630
申请日 : 20210630
2021-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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