基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件

授权

摘要

本实用新型提供了一种基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件。该器件包括复合介质栅、MOS电容和感光晶体管，复合介质栅的P型基底上方依次设有底层介质层、浮栅和顶层介质层，顶层介质层上方设有MOS电容的控制栅极和感光晶体管的控制栅极，感光晶体管的控制栅极通过互连导线和P型基底连接；MOS电容和感光晶体管设置在P型基底内，并通过浅槽隔离；感光晶体管设有源极和漏极；MOS电容和感光晶体管之间通过浮栅相连。本实用新型的器件能实现低功耗的感光自增益功能和增益控制功能，同时满足对强光和弱光的探测需求，实现高动态范围的光敏探测。

基本信息

专利标题：

基于双控制栅的复合介质栅可控自增益光敏探测器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921701285.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-12

授权号：

CN211017105U

授权日：

2020-07-14

发明人：

马浩文

申请人：

南京威派视半导体技术有限公司

申请人地址：

江苏省南京市江宁区麒麟高新技术产业开发区天骄路100号9号楼801

代理机构：

江苏法德东恒律师事务所

代理人：

李媛媛

优先权：

CN201921701285.6

主分类号：

H01L31/113

IPC分类号：

H01L31/113