在SOI晶片中包括凹陷的源/漏区的半导体制造工艺
专利权的终止
摘要
本发明提供一种在绝缘体上硅(SOI)晶片(101)中形成具有凹陷的源/漏的晶体管的方法，其包括：在晶片的有源层中形成隔离结构(110)，其中该隔离结构优选延伸通过该有源层至晶片的BOX层(104)。移除该有源层的上部以形成晶体管沟道结构。在该沟道结构上(143，145)形成栅介质(120)，并在该栅介质上形成栅结构(140)。执行通过栅介质的暴露部分、沟道结构和BOX层的刻蚀，然后从衬底体块(102)的暴露部分外延生长源/漏结构(160)。该隔离结构和BOX都主要包括氧化硅，并且该隔离结构的厚度防止部分的BOX层被刻蚀。
基本信息
专利标题 ：
在SOI晶片中包括凹陷的源/漏区的半导体制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076924A
申请号 ：
CN200580042556.6
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
翁－耶·希恩布莱恩·J·古尔斯比比希－安·阮西恩·T·阮塔布·A·斯蒂芬斯
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200580042556.6
主分类号 ：
H01R13/44
IPC分类号 ：
H01R13/44 H01R13/28 H01R25/00
法律状态
2019-11-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20120118
终止日期 : 20181130
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20120118
终止日期 : 20181130
2012-01-18 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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