一种半导体扩散区结构及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明提出了一种非均匀扩散区结构及其制造方法，该扩散区的纵剖面是一个或多个尖峰状突起结构。本发明是通过将所需大面积扩散区窗口，按一定要求用光刻的方法在扩散窗口内设置多个介质层细条，然后在掺杂扩散过程中得到所需的大面积有尖峰状突起的连续的非均匀扩散区。它可用于各种使用扩散区的半导体器件的制造，也可用于设计新型器件。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体扩散区结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1084316A
申请号 ：
CN93111592.2
公开（公告）日 ：
1994-03-23
申请日 ：
1993-07-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程铭
申请人 ：
程铭
申请人地址 ：
225001江苏省扬州市徐凝门街105-2号
代理机构 ：
扬州市专利事务所
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN93111592.2
主分类号 ：
H01L21/04
IPC分类号 ：
H01L21/04 H01L21/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
法律状态
1996-12-11 ：
专利申请的视为撤回
1994-03-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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