具有缓变源漏区的金属氧化物半导体场效应集成电路的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加穿通电压以及增加对栅有利的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
具有缓变源漏区的金属氧化物半导体场效应集成电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107677A
申请号 ：
CN87107677.2
公开（公告）日 ：
1988-06-22
申请日 ：
1987-11-03
授权号 ：
CN1009600B
授权日 ：
1990-09-12
发明人 ：
吴彬中马克·A·霍勒恩德·霍克莱克桑德拉·S·李
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN87107677.2
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/265 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2007-01-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1991-06-05 ：
授权
1990-09-12 ：
审定
1990-01-17 ：
实质审查请求
1988-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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