全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路
公开
摘要
本发明是一种全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，包含第一串接支路，用以产生偏压电流，其包含连接于第一连接节点且串接的第一电流源与二极管连接形式的第一N型电晶体；第二串接支路，其包含串接的第二电流源、二极管连接形式的第二N型电晶体及第三N型电晶体，其中第二N型电晶体设于第二电流源与第三N型电晶体之间，且第二N型电晶体与第三N型电晶体连接于第二连接节点；第三串接支路，其包含串接的第三电流源与二极管连接形式的第四N型电晶体，连接于输出节点以提供参考电压；及放大器，其非反向节点连接至第一连接节点，反向节点连接至第二连接节点。第三N型电晶体的临界电压大于第二N型电晶体的临界电压。
基本信息
专利标题 ：
全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594824A
申请号 ：
CN202011435367.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶韦廷蔡建泓
申请人 ：
财团法人成大研究发展基金会;奇景光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台南市东区大学路1号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN202011435367.8
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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